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【求助】使用HSE06计算态密度
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我想问一下高手使用HSE06计算态密度的流程。我是这样做的： 1.先使用PBE进行自洽计算。 2.使用自洽计算得到的WAVECAR再计算dos。 由于刚学VASP，想要和文献结果对照一下，结果发现我在计算HfO2的V-的态密度时，得到的缺陷态位置和文献中使用sX和PBE0的结果不一致，文献中的结果都是在禁带中有两个缺陷态能级（一个约位于禁带中，另一个在导带下方0.9eV处），而我计算出来的只有禁带中的那个缺陷能级。 以下是我计算dos时的INCAR： SYSTEM = HfSiO4 ISTART=1 ENCUT = 400 ISPIN = 1 GGA = PE ISMEAR = 0 SIGMA = 0.1 IBRION = -1 ISIF = 0 NSW = 0 EDIFF = 1E-05 LREAL = .FALSE. LDIAG=.TRUE. LORBIT=11 NELECT = 507 LHFCALC = .TRUE. HFSCREEN = 0.207 ALGO = Damped TIME = 0.2 AEXX = 0.25 AGGAX = 0.75 AGGAC = 1.0 ALDAC = 1.0 ENCUTFOCK = 0 KPOINTS： KPOINTS 0 gamma 2 2 2 0. 0. 0. |
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wangyan6930
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