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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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vaspstudy

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】求VASP计算ZnO能带和态密度的详细输入设置 已有10人参与

该贴若干天前发过,但未能解决,现求计算能带和态密度的完整输入文件设置,希望设置的能带带隙和态密度带隙值大致符合。原帖如下:

如题,以ZnO为例,能带图给出的带隙约0.8eV,与大多数文献报道值吻合;用同样的势计算DOS,却发现带隙约1.5eV,差距接近一倍,这是怎么回事?感觉问题应该出在DOS,下面贴出INCAR参数,请高手指点
静态计算的INCAR:
system=ZnO
ENCUT  =  520
ISTART =  0
ICHARG =  2
ISMEAR = -5
PREC   =  Accurate
LWAVE  = .FALSE.

DOS计算的INCAR
system   =   ZnO
ENCUT    =   520
ISTART   =   1
ICHARG   =   11
ISMEAR   =  -5
LORBIT   =   11
PREC     =   Accurate
LREAL    =  .TRUE.
LWAVE    =  .FALSE.

[ Last edited by vaspstudy on 2010-10-18 at 15:55 ]
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vasp001

金虫 (正式写手)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
aylayl08(金币+1):谢谢建议 2010-09-17 15:46:28
引用回帖:
Originally posted by vaspstudy at 2010-09-17 08:45:30:

我都查看DOS的原始数据了,的确是1.5eV左右,感觉与Bandstructure的0.8差距太大了

用DOS 计算带隙会引入赝能隙,因为由态密度求出带隙,受制于展宽,与取点数的限制,需要进行重整化处理,消除这些因素的影响
一定要精通MaterialsStudios,VASP.
9楼2010-09-17 15:15:47
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zzy870720z

荣誉版主 (文坛精英)

优秀版主优秀版主优秀版主优秀版主

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
163.com(金币+1):谢谢回帖交流,但是这二者相差为什么会有这么大呢?? 2010-09-17 08:35:48
如果要看带隙的话
建议用能带图,而不要用DOS
博学、审问、慎思、明辨、笃学
2楼2010-09-17 07:50:55
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vaspstudy

银虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by zzy870720z at 2010-09-17 07:50:55:
如果要看带隙的话
建议用能带图,而不要用DOS

我知道该用能带图看带隙,但感觉DOS显示的带隙与能带的带隙也不该差距这么大吧,毕竟他们应该是对应的,所以担心自己计算DOS的设置是不是有问题
3楼2010-09-17 08:00:45
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zzy870720z

荣誉版主 (文坛精英)

优秀版主优秀版主优秀版主优秀版主


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
设置看不出来有问题
博学、审问、慎思、明辨、笃学
4楼2010-09-17 08:18:59
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