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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】求VASP计算ZnO能带和态密度的详细输入设置
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vaspstudy

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】求VASP计算ZnO能带和态密度的详细输入设置 已有10人参与

该贴若干天前发过，但未能解决，现求计算能带和态密度的完整输入文件设置，希望设置的能带带隙和态密度带隙值大致符合。原帖如下：

如题，以ZnO为例，能带图给出的带隙约0.8eV，与大多数文献报道值吻合；用同样的势计算DOS，却发现带隙约1.5eV，差距接近一倍，这是怎么回事？感觉问题应该出在DOS，下面贴出INCAR参数，请高手指点
静态计算的INCAR：
system=ZnO
ENCUT  =  520
ISTART =  0
ICHARG =  2
ISMEAR = -5
PREC   =  Accurate
LWAVE  = .FALSE.

DOS计算的INCAR
system   =   ZnO
ENCUT    =   520
ISTART   =   1
ICHARG   =   11
ISMEAR   =  -5
LORBIT   =   11
PREC     =   Accurate
LREAL    =  .TRUE.
LWAVE    =  .FALSE.

[ Last edited by vaspstudy on 2010-10-18 at 15:55 ]
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1楼 2010-09-17 07:07:53
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vaspstudy

银虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by fzx2008 at 2010-09-17 08:39:08:
你dos图上看，很有可能两个端点看不清楚，应该局部放大点看看具体数值

按照道理来讲dos的结果因该跟band的结果是一样的。

再有，如果更精确的读取gap值要看eig value

我都查看DOS的原始数据了，的确是1.5eV左右，感觉与Bandstructure的0.8差距太大了
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7楼2010-09-17 08:45:30
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zzy870720z

荣誉版主 (文坛精英)

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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
163.com(金币+1):谢谢回帖交流，但是这二者相差为什么会有这么大呢？？ 2010-09-17 08:35:48
如果要看带隙的话
建议用能带图，而不要用DOS
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博学、审问、慎思、明辨、笃学
2楼2010-09-17 07:50:55
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vaspstudy

银虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by zzy870720z at 2010-09-17 07:50:55:
如果要看带隙的话
建议用能带图，而不要用DOS

我知道该用能带图看带隙，但感觉DOS显示的带隙与能带的带隙也不该差距这么大吧，毕竟他们应该是对应的，所以担心自己计算DOS的设置是不是有问题
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3楼2010-09-17 08:00:45
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zzy870720z

荣誉版主 (文坛精英)

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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
设置看不出来有问题
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博学、审问、慎思、明辨、笃学
4楼2010-09-17 08:18:59
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