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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 量子化学 » Gaussian » 【求助】计算荧光光谱的疑惑，求教！
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loovfnd

至尊木虫 (著名写手)

[交流] 【求助】计算荧光光谱的疑惑，求教！ 已有6人参与

我计算了荧光光谱，g09中TD优化好结构，TD计算了吸收光谱（这个就是荧光吧？）
但是计算值和实验值差别很大。实验采用固体粉末514nm光致发光。
我想问的是，计算和实验为什么换算单位后还是对不上，是不是我计算有问题。
谱图如下：
计算：


实验：
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莫强求！
1楼 2010-08-09 21:25:00
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loovfnd

至尊木虫 (著名写手)
heyo_123:有！！！我也看到了 2010-08-10 08:12:34
引用回帖:
Originally posted by beefly at 2010-08-09 21:40:30:
实验值不是恰好对应680nm左右的峰值么？哪里不对呢？

理论计算出来图我不怎么会看，我没发现有680nm左右的峰啊
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莫强求！
5楼2010-08-10 07:32:23
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loovfnd

至尊木虫 (著名写手)
引用回帖:
Originally posted by heyo_123 at 2010-08-10 11:28:22:


你把激发能量单位nm--------->e.v.看看。beefly 说的对！！

[ Last edited by heyo_123 on 2010-8-10 at 11:30 ]

1240/ev 这个我知道，我还是没瞧见计算和实验在那能对应上。
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莫强求！
7楼2010-08-10 12:22:35
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loovfnd

至尊木虫 (著名写手)
有点看明白了，谢谢楼上各位！

[ Last edited by loovfnd on 2010-8-10 at 12:31 ]
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莫强求！
8楼2010-08-10 12:26:30
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loovfnd

至尊木虫 (著名写手)
引用回帖:
Originally posted by beefly at 2010-08-10 21:11:51:
还有一个问题：图1是吸收谱，而荧光光谱属于发射谱。图1纵坐标Epsilon（摩尔消光因子）是吸收谱强度物理量，和荧光强度没有对应关系。

图2的两个峰值可以解释为：
激发态1到下态1（可能是基态）的跃迁 + 激发 ...

TD 发射计算结果如下：
Excited State   1:   Singlet-A      1.5445 eV  802.73 nm  f=0.0011
     205 -> 206        0.68555
This state for optimization and/or second-order correction.
Copying the excited state density for this state as the 1-particle RhoCI density.

Excited State   2:   Singlet-A      1.8285 eV  678.07 nm  f=0.0011
     203 -> 206       -0.11167
     204 -> 206        0.12866
     205 -> 207        0.66978

205是基态。206就不能用LUMO表示了吧，该怎么表示呢！
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莫强求！
10楼2010-08-10 23:08:47
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loovfnd

至尊木虫 (著名写手)
引用回帖:
Originally posted by beefly at 2010-08-11 08:08:33:
计算发射谱强度的公式很简单，但似乎还没有模拟发射谱的程序。难点在于，不同电子态之间的发射谱强度除了依赖于激发能和跃迁矩以外，还依赖于激发态上的电子布居数（在实验上，取决于激发光源）。所以，来自不同激 ...

图2，是采用“The measurements were carried out under ambient conditions, and the irradiation power in the focus spot was kept below 1 μW, which corresponds to an average power density of about 10 mW/mm2”

采用514nm激光激发。也对图二的峰进行了指认。计算值和实验值还是有差别的。峰位对不上。
理论计算是：802nm ；680nm
实验：810；747
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莫强求！
12楼2010-08-11 13:17:44
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loovfnd

至尊木虫 (著名写手)
引用回帖:
Originally posted by yongleli at 2010-08-11 14:06:56:
TDDFT查0.3eV以内都是理论误差，楼主的结果已经对的差不多了。

"TDDFT查0.3eV以内都是理论误差，楼主的结果已经对的差不多了"这个有啥文献啥的没有，对这方面还是不太了解.
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莫强求！
14楼2010-08-11 20:21:14
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loovfnd

至尊木虫 (著名写手)
引用回帖:
Originally posted by beefly at 2010-08-10 21:11:51:
还有一个问题：图1是吸收谱，而荧光光谱属于发射谱。图1纵坐标Epsilon（摩尔消光因子）是吸收谱强度物理量，和荧光强度没有对应关系。

图2的两个峰值可以解释为：
激发态1到下态1（可能是基态）的跃迁 + 激发 ...

感谢您对我的问题的热心回答，十分感谢！
我计算另一个分子，出现了如下情况：
TD结果：

Excited State   1:      Singlet-A      1.5517 eV  799.00 nm  f=0.0011  =0.000
     260 -> 261        0.70462
This state for optimization and/or second-order correction.
Copying the excited state density for this state as the 1-particle RhoCI density.

Excited State   2:      Singlet-A      1.8068 eV  686.22 nm  f=0.0008  =0.000
     259 -> 261        0.69300
     260 -> 262        0.10974

Excited State   3:      Singlet-A      1.9112 eV  648.74 nm  f=0.0002  =0.000
     258 -> 261        0.69481

在分子轨道中显示如下：


这是属于什么情况呢！
是您说的：
激发态1到下态1（可能是基态）的跃迁 + 激发态1到下态2的跃迁
或
激发态1到下态1的跃迁 + 激发态2到下态1的跃迁
或
激发态1到下态1的跃迁 + 激发态2到下态2的跃迁

[ Last edited by loovfnd on 2010-8-12 at 12:50 ]
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莫强求！
16楼2010-08-12 12:46:28
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