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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 【求助】硅薄膜制备出现粉末
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nanate

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】硅薄膜制备出现粉末 已有2人参与

大家好！
   用SiCl4作为硅源制备硅薄膜的时候（采用电容耦合PECVD），在射频电极上出现了黄色的粉末。从观察镜中可以看出，在开腔门之前没有粉末状，电极很干净；但是一开炉门玻璃基片和射频电极出现了黄色粉末，得不到硅薄膜，不知是什么原因，希望有高手能给点意见。谢谢了！！
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1楼 2010-07-22 19:32:33
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nanate

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by dashen at 2010-08-13 15:00:23:
可能是薄膜中Cl含量太大，或者这种条件下的薄膜应力太大所致

但是从观察窗看，在样品没有取出来之前是没有粉末的，取出来才有。如果是应力或者氯含量过高，在样品取出来之前就应该是粉末了，请指教！谢谢。
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9楼2010-08-17 08:50:55
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chunchun3111

nanate(金币+5): 2010-07-23 08:44:39
是没有成膜的原因吧
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2楼2010-07-23 08:21:04
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nanate

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by chunchun3111 at 2010-07-23 08:21:04:
是没有成膜的原因吧

但是在开炉门前是有薄膜生成的，为什么开了炉门后就变成粉末状了呢？
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3楼2010-07-23 08:44:23
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chunchun3111

nanate(金币+1): 2010-07-23 09:06:59
我用的是HWCVD做的，用的是SiH4，如果彻底温度低的话就容易不成膜，和你的可能不太一样吧
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4楼2010-07-23 09:02:17
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