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nanate

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】硅薄膜制备出现粉末 已有2人参与

大家好!
   用SiCl4作为硅源制备硅薄膜的时候(采用电容耦合PECVD),在射频电极上出现了黄色的粉末。从观察镜中可以看出,在开腔门之前没有粉末状,电极很干净;但是一开炉门玻璃基片和射频电极出现了黄色粉末,得不到硅薄膜,不知是什么原因,希望有高手能给点意见。谢谢了!!
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nanate

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by dashen at 2010-08-12 11:41:57:
我之前用SiH2Cl2做过硅薄膜,样品刚取出来的时候是一层膜,但几秒甚至更短的时间会团聚呈颗粒或者粉末,不知是否这样的?

是啊!就是这相同的问题,你认为是什么原因呢?请给点意见,谢谢?
7楼2010-08-13 13:34:50
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chunchun3111

nanate(金币+5): 2010-07-23 08:44:39
是没有成膜的原因吧
2楼2010-07-23 08:21:04
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nanate

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by chunchun3111 at 2010-07-23 08:21:04:
是没有成膜的原因吧

但是在开炉门前是有薄膜生成的,为什么开了炉门后就变成粉末状了呢?
3楼2010-07-23 08:44:23
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chunchun3111

nanate(金币+1): 2010-07-23 09:06:59
我用的是HWCVD做的,用的是SiH4,如果彻底温度低的话就容易不成膜,和你的可能不太一样吧
4楼2010-07-23 09:02:17
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