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【求助】关于Al2O3烧结SiC的问题 已有6人参与
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我用微米级的Al2O3（D50=2um）烧结SiC（D50=5um），在氮气气氛下1750度保温一个小时，它们的比例为1:1；然后又用纳米级的Al2O3（D50=30nm）在相同条件下烧结SiC。 结果发现用微米级Al2O3烧结的条，显气孔率比用纳米级的要低，这是为什么？虽说用纳米级的Al2O3烧结时，成型后的素胚体积较大（我没有用等静压），但从理论上来说用纳米级的显气孔率肯定要低一些。请大家帮忙解释一下！谢谢！我已经重复做过实验，结果肯定是这样。 |
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4楼2010-07-14 10:19:30
tjumark
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这涉及到成型压制时试样内部的颗粒堆积密度的问题，SiC（D50=5um）粒径大，颗粒间的间隙也大，在没有等静压处理的条件下，用微米级的Al2O3（D50=2um）填充SiC间隙比纳米级的填充得到的试样可能会表面更致密些，故显气孔率小些。 先测定下烧结试样的相对密度，再根据其他性能确定氧化铝粉的粒径还有是否用等静压。 |
2楼2010-07-14 09:04:08
zhang_1983
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3楼2010-07-14 10:15:55
zhang_1983
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5楼2010-07-14 10:25:03
