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液相外延实验讲义
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外延生长是半导体材料和器件制造的重要工艺。从饱和溶液中在单晶衬底上生长外延层的方法称液相外延(Liquid Phase Epitaxy,LPE)。例如,GaAs外延层就可从以Ga为溶剂、As为溶质的饱和溶液中生长出来。液相外延方法是在1963年由纳尔逊(Nelson)提出的。与其他外延技术相比,液相外延有以下优点: 1.生长设备比较简单; 2.生长速率快; 3.外延材料纯度比较高; 4.掺杂剂选择范围较广泛; 5.外延层的位错密度通常比它赖以生长的衬底要低; 6.成分和厚度都可以比较精确的控制,重复性好; 7.操作安全,没有汽相外延中反应气体和反应产物所造成的高毒、易燃、易爆和强腐蚀等危险。 |
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2楼2006-03-15 22:54:40
tanchengyu
铁杆木虫 (正式写手)
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