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液相外延实验讲义
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外延生长是半导体材料和器件制造的重要工艺。从饱和溶液中在单晶衬底上生长外延层的方法称液相外延（Liquid Phase Epitaxy，LPE）。例如，GaAs外延层就可从以Ga为溶剂、As为溶质的饱和溶液中生长出来。液相外延方法是在1963年由纳尔逊（Nelson）提出的。与其他外延技术相比，液相外延有以下优点： 1．生长设备比较简单； 2．生长速率快； 3．外延材料纯度比较高； 4．掺杂剂选择范围较广泛； 5．外延层的位错密度通常比它赖以生长的衬底要低； 6．成分和厚度都可以比较精确的控制，重复性好； 7．操作安全，没有汽相外延中反应气体和反应产物所造成的高毒、易燃、易爆和强腐蚀等危险。 |
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