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gestapo911

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】如此的图能否说明Si-O键增加?(XRD与IR) 已有2人参与

我做了两个硅片,想看其表面覆盖的氧化物的量是否增加。得到的表征图谱如下:

只需a与b比较。无定形峰说明有无定形二氧化硅的存在。无定形峰强度增加了,能说明二氧化硅的量增加了吗?
再做了一个红外:

此峰属于Si-O-Si
二者放在一起,能说明氧化物的量在处理前后增加了吗?

[ Last edited by gestapo911 on 2010-5-17 at 11:03 ]
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gestapo911

银虫 (小有名气)

。。。。

刚才图没注意,太大了。现在重新传过。
2楼2010-05-17 11:04:15
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wanhuishi

银虫 (小有名气)

XRD不太了解。。。
红外的话最好有一个能对比说明的峰,这个峰高最好是不变的或者变小的,这样对比说明才能说明硅氧键变多了
3楼2010-05-17 11:13:39
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gestapo911

银虫 (小有名气)

图2中实线代表处理前,虚线代表处理后。这样不能说明问题吗?
4楼2010-05-17 14:55:19
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gestapo911

银虫 (小有名气)

没人回答
5楼2010-05-18 15:56:42
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padodo

至尊木虫 (职业作家)

胖嘟嘟

优秀版主


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
gestapo911(金币+10): 谢谢。 2012-01-04 20:16:35
结合起来,可以说明问题的,特别是红外的图比较有说服力
我有什么能帮助您的吗?
6楼2012-01-04 19:13:00
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