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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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lovelyloeve

新虫 (初入文坛)

[交流] 【请教】聚合物做模板在硅片上的图案转移 已有1人参与

请问 有关于聚合物在硅片上形成图案后用DRIE方法进行选择性刻蚀的么?
用什么气体? 现在大多数都不是用聚合物的 所以相关资料比较少 希望达人指点迷津 例如 ps 在硅表面形成图案以后怎样加工 把图案转移到硅片上
谢谢
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diblock copolymer
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damuchongzi

铁杆木虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
当然有,在微电子中常用polymide做器件的隔离保护层,有光敏的(象光刻胶一样可以曝光,图形转移);也有非光敏的但也可以在上面用光刻胶做掩模,再将暴露区(无光刻胶区)的polymide溶解去除。
另外就是你的表述太混乱,究竟想做什么?
气体是用来刻什么的?硅?DRIE用的是SF6、C4F8和O2。聚合物?不能用DRIE刻(对这么好的设备是种浪费和损伤)),用普通RIE既可,气体用O2(可以加入SF6)。如果用聚合物(如polymide)做掩模,用DRIE刻硅,其刻蚀选择比很高,SiI可以到达80:1以上(PI需固化)。
2楼2010-04-11 10:56:02
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