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jugengfans

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】半金属计算中ismear的选择

各位,请问半金属材料在结构优化的时候ismear 应该选-5 还是0 ,2 呢?
vasp 说明上说金属用 1.2 半导体和绝缘体用-5. 0
可是半金属在费米面附近自旋向上的状态应该是金属啊。用-5好像变成一个窄带隙半导体了。

那是不是我们在计算态密度的时候,自旋up的部分用ismear=0 ,sigma = 0.05 来算半金属呢?请有这方面计算经验的人指教了!
还有,看别人算半金属的态密度很平滑,我的有非常尖锐的锯齿峰,是不是他们计算的时候用的不是ismear=-5而导致的平滑化呢?还是用Origin做的一个B-spline平滑?
请指教!

[ Last edited by aylayl08 on 2010-3-28 at 08:46 ]
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jugengfans

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by wo8165827 at 2010-03-03 09:09:26:



结构优化的过程是选用1,2,但在态密度计算的时候也是选用-5的。k点取多了自然会平滑些,但也受到计算机的约束。我建议你还是先测试下。

为什么优化的时候不用-5?2对带隙的影响很大啊。
另外2的时候你的SIGMA是默认的0.2还是别的值?判别的标准是什么?
7楼2010-03-03 19:39:02
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wo8165827

金虫 (小有名气)

★ ★
jugengfans(金币+1): 2010-02-28 13:59
qasd(金币+2):xiexie 2010-03-01 21:57
计算态密度过程中,结构优化的时候采用的ISMEAR是1,2或者其它正值,而态度的时候就是要求用-5.不过这样计算出来的态密度曲线是比较尖锐,有人在结构优化的时候采用高斯的方法(ISEAR=0)态密度计算是为-5,这样得到的曲线则会变得光滑了。

具体的你可以测试下你的体系。
计算的魅力
2楼2010-02-28 11:06:09
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jugengfans

金虫 (正式写手)

谢谢楼上,问题它是半金属,如果用1,2的话,自旋向下的GAP就会由于smearing而减小。
我说的是halfmetal,不是 semimetal, 在这里明确一下。。
继续求问。。
3楼2010-02-28 14:00:54
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wo8165827

金虫 (小有名气)


qasd(金币+1):xiexie 2010-03-01 21:57
引用回帖:
Originally posted by jugengfans at 2010-02-28 14:00:54:
谢谢楼上,问题它是半金属,如果用1,2的话,自旋向下的GAP就会由于smearing而减小。
我说的是halfmetal,不是 semimetal, 在这里明确一下。。
继续求问。。

这个我也算过啊,我用了1.2的时候,自旋向下的GAP倒是变大了呢?呵呵,
计算的魅力
4楼2010-03-01 13:36:12
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