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lunarey

铁杆木虫 (正式写手)

我们所做的是通过不同区域的光照来测量芯片的光电流,因此有分辨率的区别
芯片的材料和修饰不同,电子和空穴的迁移率不同,分辨率自然不同
芯片之间是没有引线连接的
我不是特别了解扫描电镜的原理,但这个分辨率和你理解的分辨率不是一个
概念。比如表面都是5nm的量子点,你用SEM看到都是5nm,对于我们来说,理论上芯片的分辨率是5nm,但实际上,量子点之间有一定的电子交换,有隧穿。
因此把实际的分辨率拉低了,可能是10nm或者100nm甚至1um。你不知道是
多少,还是需要不同大小的外场光去确定实际的分辨率。
不过非常感谢大家的讨论,我也学到了不少东西。
引用回帖:
Originally posted by GrasaVampiro at 2010-02-16 23:24:37:
"为了验证芯片的分辨率可以达到nm级别,需要照射光的光斑面积也是nm级别,否则无法证明最低分辨率"
芯片有分辨率可言?还是说线宽问题?如果要用远场光成像,那么这种方法基本是死路一条,看看Rayleig ...

11楼2010-02-18 10:27:16
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GrasaVampiro

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小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
觉得是你叙述得不够清楚,你要是早把11楼的东西写到1楼,大家都少很多事
如果是因为保密的原因,不能详述,建议还是找内部有经验的人问。
如果你检测的东西类似ccd之类的,我看SNOM可能是唯一选择了,自己google一下吧
从此不问江湖事
12楼2010-02-19 01:56:13
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