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clidongdong

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】光致发光峰位与激发光源的关系 已有2人参与

在做氧化镉的光之发光时,光源在520 峰值在650-700左右
但文献上大多用300左右的光源,其峰值在550左右,请问峰值发生偏移的原因是什么?
已重复测量,样品为多晶
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为者常成 行者常至
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思想被殖民

金虫 (正式写手)

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
5楼: Originally posted by wangyongcai at 2010-06-02 13:05:32
我看了一篇文献好像是与样品的粒径有关系

是那篇文献,能不能把文献的名字或者年月卷页发一下,谢谢
待人以诚-艰步以行
8楼2014-10-28 19:32:54
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拂晓

木虫 (著名写手)

★ ★
clidongdong(金币+1,VIP+0): 1-22 15:35
clidongdong(金币+1,VIP+0): 1-22 15:35
我们也有类似的问题,期待ing
2楼2010-01-21 11:03:04
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ljsnh2002

金虫 (正式写手)

可能在于光源的能量不同导致其电子跃迁的能级有区别

clidongdong(金币+4): 2010-03-30 16:08
可能在于光源的能量不同导致其电子跃迁的能级有区别
jsliu
3楼2010-03-15 10:49:16
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ljsnh2002

金虫 (正式写手)

ninhao

★ ★ ★
ratio(金币+3):欢迎讨论! 2010-05-29 17:20:59
发光的来源:
①有杂质或缺陷参与的跃迁。导带电子跃迁到未电离的受主能级,与受主能级上的空穴复台;中性施主能级上的电子跃迁到价带,与价带中空穴复合;中性施主能级上的电子跃迁到中性受主能级,与受主能级上的空穴复合。
    ②带与带之间的跃迁。导带底的电子直接跃迁到价带顶部,与空穴复合;导带热电子跃迁到价带顶与空穴复合,或导带底的电子跃迁到价带与热空穴复合。
③热载流子在带内跃迁。
由上可知,电子从高能级向较低能级跃迁时,必然释放一定的能量。如跃迁过程伴随着放出光子,这种跃迁称为辐射跃迁。必须指出,以上列举的各种跃迁过程并非都能在同一材料和在相同条件下同时发生;更不是每一种跃迁过程都辐射光子。但作为半导体发光材料,必须是辐射跃迁占优势。
jsliu
4楼2010-05-28 20:06:08
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