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Hector8275

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】LDA与GGA对能带的计算问题。

看到不同文献中写道LDA与GGA都会把带隙算的比实际值要小,这是为什么?还有就是更多看到的是LDA会underestimate band gap,GGA的是在较差的文章中看到的,对此有些怀疑。也请帮忙解答一下。
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fo3mt2

金虫 (小有名气)

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aylayl08(金币+3,VIP+0):感谢指点,欢迎常来 1-7 20:54
引用回帖:
Originally posted by Hector8275 at 2010-1-7 15:36:

谢谢,我也看到现在都在做加u的模拟,但我们这买的是MS4.0版本,还没有加U的功能。很郁闷。我算含Fe元素的陶瓷,有d轨道的贡献。在态密度图上根本看不到带隙,但是能带图上能看出有大概带隙,大概在1.0eV,这和 ...

这是一个正常现象,CASTEP Module对能带的计算只是针对那几个高对称点;而对于态密度图的计算,则是对全部K点进行积分,它所反映出来的信息更加全面.从_BandStr.castep和_DOS.castep两个文件内容的比较上可见一般.

至于铁元素d电子贡献的U校正计算,我看见已经有人作过一些研究了.楼主不妨
在网上找一找,参考一下.
5楼2010-01-07 16:36:00
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xirainbow

木虫 (正式写手)

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aylayl08(金币+2,VIP+0):谢谢指点 1-7 14:37
对传统的体系
GGA和LDA给出的结果究竟偏大还是偏小
通常已有定论
刚开始时,跟着走就行了;)
2楼2010-01-07 13:40:00
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fo3mt2

金虫 (小有名气)

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小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
aylayl08(金币+6,VIP+0):谢谢详细指点 1-7 14:37
引用回帖:
Originally posted by Hector8275 at 2010-1-7 10:33:
看到不同文献中写道LDA与GGA都会把带隙算的比实际值要小,这是为什么?还有就是更多看到的是LDA会underestimate band gap,GGA的是在较差的文章中看到的,对此有些怀疑。也请帮忙解答一下。

传统的密度泛函理论忽略电子间的相互作用。对于大多数含有s或p电子的体系而言,这个相互作用较弱,忽略后误差在可接受范围之内,所以仍然可用其计算体系的电子结构等一系列性质;但是对于相当一部分含有未填满的d或f电子的体系来说,这个相互作用较强,忽略后误差超出了可接受范围。比如,像氧化钴一类的Mott Insulator,传统的密度泛函计算之后,带隙为零,这种情况下,必须考虑校正计算。其实,校正方法也并不是只有Hubbard U Model一种,有些方法会过大地估算带隙数值。

楼主可以在Google网站搜索一下,会找到很多论述U参数校正理论的文献。我上传了一篇,希望对楼主有所帮助。
3楼2010-01-07 14:11:38
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Hector8275

金虫 (正式写手)


aylayl08(金币+1,VIP+0):鼓励发问讨论 1-7 15:41
引用回帖:
Originally posted by fo3mt2 at 2010-1-7 14:11:


传统的密度泛函理论忽略电子间的相互作用。对于大多数含有s或p电子的体系而言,这个相互作用较弱,忽略后误差在可接受范围之内,所以仍然可用其计算体系的电子结构等一系列性质;但是对于相当一部分含有未填满 ...

谢谢,我也看到现在都在做加u的模拟,但我们这买的是MS4.0版本,还没有加U的功能。很郁闷。我算含Fe元素的陶瓷,有d轨道的贡献。在态密度图上根本看不到带隙,但是能带图上能看出有大概带隙,大概在1.0eV,这和DOS图是不是有冲突,为什么DOS图上看不出来呢?
4楼2010-01-07 15:36:15
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