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Hector8275金虫 (正式写手)
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[交流]
【求助】LDA与GGA对能带的计算问题。
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| 看到不同文献中写道LDA与GGA都会把带隙算的比实际值要小，这是为什么？还有就是更多看到的是LDA会underestimate band gap，GGA的是在较差的文章中看到的，对此有些怀疑。也请帮忙解答一下。 |
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Hector8275
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4楼2010-01-07 15:36:15
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2楼2010-01-07 13:40:00
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
aylayl08(金币+6,VIP+0):谢谢详细指点 1-7 14:37
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传统的密度泛函理论忽略电子间的相互作用。对于大多数含有s或p电子的体系而言，这个相互作用较弱，忽略后误差在可接受范围之内，所以仍然可用其计算体系的电子结构等一系列性质；但是对于相当一部分含有未填满的d或f电子的体系来说，这个相互作用较强，忽略后误差超出了可接受范围。比如，像氧化钴一类的Mott Insulator，传统的密度泛函计算之后，带隙为零，这种情况下，必须考虑校正计算。其实，校正方法也并不是只有Hubbard U Model一种，有些方法会过大地估算带隙数值。 楼主可以在Google网站搜索一下，会找到很多论述U参数校正理论的文献。我上传了一篇，希望对楼主有所帮助。 |
3楼2010-01-07 14:11:38
fo3mt2
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5楼2010-01-07 16:36:00
