| 查看: 1545 | 回复: 3 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
【求助】SnO2的带隙 已有1人参与
|
|||
| GGA得到SnO2的带隙为1.0eV左右,但是掺杂Sn(间隙位),带隙却比之前的大了,大约为2.0左右,这是为什么呢? |
» 猜你喜欢
本人考085602 化学工程 专硕
已经有23人回复
求调剂院校信息
已经有4人回复
085600材料与化工306
已经有4人回复
286求调剂
已经有10人回复
328求调剂,英语六级551,有科研经历
已经有9人回复
一志愿北京化工大学070300 学硕336求调剂
已经有4人回复
286分人工智能专业请求调剂愿意跨考!
已经有8人回复
资源与环境 调剂申请(333分)
已经有5人回复
280求调剂
已经有12人回复
269专硕求调剂
已经有5人回复
» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:
vasp计算的半导体结构,bands带隙比dos里面的大,何故?
已经有33人回复
缺陷D在q电子态下的形成能的计算
已经有8人回复
加压带隙增大问题
已经有16人回复
求助带隙宽度?
已经有7人回复
在ms的castep模块中计算SnO2的单胞时,计算完后其带隙很小
已经有9人回复
【求助】理论计算新手,求帮忙解决带隙及DOS的问题
已经有21人回复
【求助】掺杂后带隙的问题
已经有28人回复
【求助】怎么由吸收谱得到吸收系数和薄膜的带隙
已经有16人回复
【求助】castep为啥做超胞后从间接带隙变直接带隙?
已经有16人回复
【求助】光学带隙
已经有6人回复
4楼2010-05-25 14:08:36
2楼2009-12-28 11:12:12
3楼2009-12-28 13:46:26













回复此楼