| 查看: 1718 | 回复: 3 | |||
[交流]
【求助】SnO2的带隙 已有1人参与
|
| GGA得到SnO2的带隙为1.0eV左右,但是掺杂Sn（间隙位），带隙却比之前的大了，大约为2.0左右，这是为什么呢？ |
回复此楼» 猜你喜欢
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.5.4,科目齐全,可+急
已经有5人回复
-
售SCI-T0P文章，我:8O.5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有7人回复
-
上海工程技术大学 激光智能制造课题组 2027级博士研究生招生
已经有6人回复
-
课题组招2027级博士 上海工程技术大学 激光智能制造方向
已经有6人回复
-
现代”学阀”该如何界定
已经有14人回复
-
师弟论文见刊大半年才想起来申请专利，还能抢救一下吗？
已经有4人回复
-
有机合成以后会不会被AI改变？做科研的虫友怎么看
已经有8人回复
-
我的奶奶
已经有3人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？
已经有33人回复
- 缺陷D在q电子态下的形成能的计算
已经有8人回复
- 加压带隙增大问题
已经有16人回复
- 求助带隙宽度？
已经有7人回复
- 在ms的castep模块中计算SnO2的单胞时，计算完后其带隙很小
已经有9人回复
- 【求助】理论计算新手，求帮忙解决带隙及DOS的问题
已经有21人回复
- 【求助】掺杂后带隙的问题
已经有28人回复
- 【求助】怎么由吸收谱得到吸收系数和薄膜的带隙
已经有16人回复
- 【求助】castep为啥做超胞后从间接带隙变直接带隙？
已经有16人回复
- 【求助】光学带隙
已经有6人回复
2楼2009-12-28 11:12:12
3楼2009-12-28 13:46:26
4楼2010-05-25 14:08:36