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lixinli

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】p型微晶硅薄膜和n型微晶硅薄膜的光学带隙和禁带宽度的差别

我向各位大侠们请教一个半导体方面的问题:对p型和n型微晶硅来说它们的禁带宽度相差大不?到底是谁大些?比如我们认为非掺杂的微晶硅的禁带宽度为1.12ev,那么是p型还是n型的大于1.12ev?还有就是迁移率带隙和禁带宽度是不是一个概念?数值大小是不是相等?如果用以电池的话,n型的微晶硅的光学带隙是大点好还是小的好?
谢谢大家提出宝贵意见

[ Last edited by lixinli on 2009-12-24 at 21:38 ]
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1楼 2009-12-24 21:34:59
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zhuzhen2003

银虫 (初入文坛)
★ ★ ★ ★
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小木虫:)(金币+3,VIP+0):3q 12-26 00:17
掺杂只会改变费米能级的位置，如果是少量掺杂，带隙不怎么改变吧。如果重掺杂发生载流子简并，得考虑带尾态和moss-burstein移动的影响。
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3楼2009-12-25 10:03:02
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floljf

金虫 (正式写手)
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小木虫:)(金币+5,VIP+0):3q 12-26 00:17
P型在价带里存在空穴，相当于价带顶下降，禁带宽度拉宽，所以P型禁带宽度大，n型小。
迁移率带隙的概念我还是第一次听说，悉听大家分解！
从电池结构设计的角度讲，PIN三层需要提高太阳光的利用率，我的看法是n型的光学带隙要尽量小，以充分利用长波光。是否正确还请大家指教！
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2楼2009-12-25 09:40:50
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cord

铁杆木虫 (著名写手)
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P或者N型掺杂是费米能级移动，不是价带顶移动，这个是基本的半导体概念，不要误导别人。

P和N的微晶硅材料的光学带隙应该一样，没有碳掺杂情况下。
迁移率带隙就需要看各自材料的缺陷态的高低了。
引用回帖:
Originally posted by floljf at 2009-12-25 09:40:
P型在价带里存在空穴，相当于价带顶下降，禁带宽度拉宽，所以P型禁带宽度大，n型小。
迁移率带隙的概念我还是第一次听说，悉听大家分解！
从电池结构设计的角度讲，PIN三层需要提高太阳光的利用率，我的看法是n ...

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4楼2009-12-25 10:41:49
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floljf

金虫 (正式写手)
★
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引用回帖:
Originally posted by cord at 2009-12-25 10:41:
P或者N型掺杂是费米能级移动，不是价带顶移动，这个是基本的半导体概念，不要误导别人。

P和N的微晶硅材料的光学带隙应该一样，没有碳掺杂情况下。
迁移率带隙就需要看各自材料的缺陷态的高低了。

谢谢指教！不好意思！
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5楼2009-12-26 00:34:40
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