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lixinli铜虫 (小有名气)
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[交流]
【求助】p型微晶硅薄膜和n型微晶硅薄膜的光学带隙和禁带宽度的差别
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我向各位大侠们请教一个半导体方面的问题:对p型和n型微晶硅来说它们的禁带宽度相差大不?到底是谁大些?比如我们认为非掺杂的微晶硅的禁带宽度为1.12ev,那么是p型还是n型的大于1.12ev?还有就是迁移率带隙和禁带宽度是不是一个概念?数值大小是不是相等?如果用以电池的话,n型的微晶硅的光学带隙是大点好还是小的好? 谢谢大家提出宝贵意见 [ Last edited by lixinli on 2009-12-24 at 21:38 ] |
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