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jdy19862002金虫 (正式写手)
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【重点讨论】一个氧空位表面charge是不是要设为2（参与讨论就有机会赢取大礼包）已有12人参与
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castep计算含有一个氧空位表面时，setup里面的charge是不是要设为-2? 是不是计算缺陷，从整体看，是带电的，就应设置charge？ 还有就是计算块体时的非电荷平衡掺杂，例如：ZnO里的Zn2+被一个+3价的过渡金属替代，显然这时的电荷是不平衡的。应该设置charge？ 下图的这个charge具体是什么含义？那位高手能给出理论上的解释？ 谢谢!! [ Last edited by wuli8 on 2009-12-23 at 13:04 ] |
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ice_rain(金币+3,VIP+0):谢谢指点 12-23 13:18
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这是help文件里的说明。 这里是两篇参考文献： http://d.namipan.com/sd/1562210 [ Last edited by wuli8 on 2009-12-23 at 13:15 ] |
4楼2009-12-23 13:11:37
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wuli8(金币+10,VIP+0):感谢交流，送出重点讨论帖子的大礼包，(*^__^*) …… 12-24 10:31
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当我们做有缺陷的体系时，默认是不加入charge的。原因很简单，如果我有一块氧不够的SiOx，就摆在我前，难道你要说这个缺陷带点，如果我摸了，有电荷流动，小心电死吗？ 在举个例说，这个charge，是均匀加入到整个体系呢？还是只放在有空位的位置？我认为是前者。 有时候问题在于，电中性或带点氧空位(无论正负)，哪一个是你所讨论具体环境下，稳定的defect？ 电中性意味着氧空位是一个electrron trap，有吸引电子进入的可能。带点则有detrap electron的可能。 |
10楼2009-12-23 23:05:35