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南方科技大学公共卫生及应急管理学院2026级博士研究生招生报考通知(长期有效)
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04nylxb

木虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
那继续问下,如果是表面吸附的体系,如甲氧基吸附(CH3O)在pd上,原先甲醇是电中性的,在pd(111)面解离吸附成甲氧基和H,那算甲氧基的吸附的时候charge是否要设成-1?
集中精力发文章
21楼2010-09-19 23:30:04
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夕阳西下

金虫 (著名写手)

★ ★
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zxzj05(金币+1):谢谢回帖交流 2010-09-20 10:52:09
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Originally posted by 04nylxb at 2010-09-19 23:30:04:
那继续问下,如果是表面吸附的体系,如甲氧基吸附(CH3O)在pd上,原先甲醇是电中性的,在pd(111)面解离吸附成甲氧基和H,那算甲氧基的吸附的时候charge是否要设成-1?

解吸附后电荷不平衡,如果是这种情况应该设置。
22楼2010-09-20 07:12:31
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fzx2008

荣誉版主 (著名写手)

优秀版主优秀版主

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zxzj05(金币+3):谢谢回帖交流 2010-09-20 10:52:37
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Originally posted by enola at 2010-05-22 19:46:01:

wuli8,能否再上传一次那个参考文献啊?米人上没拉,谢谢啊

第一篇是PRL:          Phys. Rev. Lett. 70, 2928–2931 (1993)
http://prl.aps.org/abstract/PRL/v70/i19/p2928_1
Free energy and entropy of diffusion by ab initio molecular dynamics: Alkali ions in silicon

第二篇是PRB:          Phys. Rev. B 61, 8155–8161 (2000)
http://prb.aps.org/abstract/PRB/v61/i12/p8155_1
First-principles calculations of interstitial boron in silicon
23楼2010-09-20 08:56:42
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04nylxb

木虫 (正式写手)


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Originally posted by 夕阳西下 at 2010-09-20 07:12:31:

解吸附后电荷不平衡,如果是这种情况应该设置。

嗯,多谢
再请教下,如果是甲醇断裂成了CH3- 和 -OH了,然后各自吸附,是否要分别设置成charge为+1和-1?
集中精力发文章
24楼2010-09-20 09:47:33
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cshcgy

金虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
个人理解
应该是看体系的带电情况,如果是电中性的就为0,如果想让体系带有电荷,则设置所需电荷。
25楼2011-04-13 19:41:30
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yoyo103108

铜虫 (小有名气)


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Originally posted by wuli8 at 2009-12-23 13:11:37:
这是help文件里的说明。

这里是两篇参考文献:
http://d.namipan.com/sd/1562210

[ Last edited by wuli8 on 2009-12-23 at 13:15 ]

能不能你这两篇参考文献发给我一下?谢谢~
26楼2011-05-14 10:00:33
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yoyo103108

铜虫 (小有名气)


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Originally posted by freshgirl at 2009-12-23 23:05:35:
当我们做有缺陷的体系时,默认是不加入charge的。原因很简单,如果我有一块氧不够的SiOx,就摆在我前,难道你要说这个缺陷带点,如果我摸了,有电荷流动,小心电死吗?

在举个例说,这个charge,是均匀加入到整 ...

那你意思是说 charge是调整整个体系的带电性?那我设置的缺陷不管是中性 还是带电的  都不用设置charge吗?
27楼2011-05-14 10:07:28
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stractor

金虫 (著名写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
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Originally posted by freshgirl at 2009-12-23 23:05:35:
当我们做有缺陷的体系时,默认是不加入charge的。原因很简单,如果我有一块氧不够的SiOx,就摆在我前,难道你要说这个缺陷带点,如果我摸了,有电荷流动,小心电死吗?

在举个例说,这个charge,是均匀加入到整 ...

第一,做带电的缺陷是是要加减电荷的。但不是你说理解的,这个材料就带电。整个材料是中性的,如果某种缺陷是是带正电的,必然从其他原子出捕获了电子。半导体中各种各样的带电缺陷,整个材料是中性的。
第二,加进去或者移除的电荷在缺陷位置处。因为离缺陷一定位置的原子占位没明显改变,那么那些空间区域的电荷分布也不会发生明显改变,自洽后净电荷就在缺陷位置附近。可以计算缺陷原子最近邻原子的波恩有效电荷来验证。
第三,哪种价带的缺陷更稳定,需要比较形成能,半导体缺陷第一原理计算的文献有讨论。
28楼2011-05-14 15:35:28
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