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jdy19862002

金虫 (正式写手)

[交流] 【重点讨论】一个氧空位表面charge是不是要设为2(参与讨论就有机会赢取大礼包)已有12人参与

castep计算含有一个氧空位表面时,setup里面的charge是不是要设为-2?
是不是计算缺陷,从整体看,是带电的,就应设置charge?
还有就是计算块体时的非电荷平衡掺杂,例如:ZnO里的Zn2+被一个+3价的过渡金属替代,显然这时的电荷是不平衡的。应该设置charge?
下图的这个charge具体是什么含义?那位高手能给出理论上的解释?
谢谢!!

[ Last edited by wuli8 on 2009-12-23 at 13:04 ]
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stractor

金虫 (著名写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
Originally posted by freshgirl at 2009-12-23 23:05:35:
当我们做有缺陷的体系时,默认是不加入charge的。原因很简单,如果我有一块氧不够的SiOx,就摆在我前,难道你要说这个缺陷带点,如果我摸了,有电荷流动,小心电死吗?

在举个例说,这个charge,是均匀加入到整 ...

第一,做带电的缺陷是是要加减电荷的。但不是你说理解的,这个材料就带电。整个材料是中性的,如果某种缺陷是是带正电的,必然从其他原子出捕获了电子。半导体中各种各样的带电缺陷,整个材料是中性的。
第二,加进去或者移除的电荷在缺陷位置处。因为离缺陷一定位置的原子占位没明显改变,那么那些空间区域的电荷分布也不会发生明显改变,自洽后净电荷就在缺陷位置附近。可以计算缺陷原子最近邻原子的波恩有效电荷来验证。
第三,哪种价带的缺陷更稳定,需要比较形成能,半导体缺陷第一原理计算的文献有讨论。
28楼2011-05-14 15:35:28
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