版块导航
正在加载中...
客户端APP下载
论文辅导
调剂小程序
登录
注册
帖子
帖子
用户
本版
应《网络安全法》要求,自2017年10月1日起,未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用,请尽快对帐号进行手机号验证,感谢您的理解与支持!
24小时热门版块排行榜
>
论坛更新日志
(588)
>
导师招生
(30)
>
虫友互识
(30)
>
论文投稿
(17)
>
考博
(15)
>
硕博家园
(14)
>
考研
(13)
>
休闲灌水
(13)
>
基金申请
(12)
>
找工作
(10)
>
博后之家
(8)
>
教师之家
(8)
>
公派出国
(7)
>
论文道贺祈福
(4)
>
留学DIY
(3)
>
健康生活
(3)
小木虫论坛-学术科研互动平台
»
计算模拟区
»
第一性原理
»
MS
»
【讨论】关于缺陷形成能
5
1/1
返回列表
查看: 1823 | 回复: 5
只看楼主
@他人
存档
新回复提醒
(忽略)
收藏
在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖
zw_tju
木虫
(小有名气)
应助: 1
(幼儿园)
金币: 1914
散金: 100
帖子: 155
在线: 72.6小时
虫号: 429063
注册: 2007-08-04
性别: GG
专业: 凝聚态物性 II :电子结构
[交流]
【讨论】关于缺陷形成能
看文献计算缺陷形成能的时候,常画出形成能算费米能级变化的关系图,可是费米能级对于特定的缺陷不是固定的吗?怎么理解呢?在具体计算中应如何考虑?
回复此楼
» 收录本帖的淘帖专辑推荐
杂七杂八
» 猜你喜欢
什么是人一生最重要的?
已经有6人回复
为什么中国大学工科教授们水了那么多所谓的顶会顶刊,但还是做不出宇树机器人?
已经有11人回复
网上报道青年教师午睡中猝死、熬夜猝死的越来越多,主要哪些原因引起的?
已经有9人回复
【博士招生】太原理工大学2026化工博士
已经有5人回复
280求调剂
已经有3人回复
面上可以超过30页吧?
已经有11人回复
版面费该交吗
已经有15人回复
体制内长辈说体制内绝大部分一辈子在底层,如同你们一样大部分普通教师忙且收入低
已经有18人回复
高级回复
» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:
2011年12月-Materials studio软件半导体缺陷形成能的计算 video/pdf讲义
已经有492人回复
VASP计算缺陷形成能是否还要对帯隙进行修正?
已经有5人回复
缺陷结合能和形成能
已经有30人回复
缺陷形成能计算
已经有11人回复
缺陷D在q电子态下的形成能的计算
已经有8人回复
关于LiF的空位形成能计算
已经有6人回复
求缺陷形成能时结构可要优化?
已经有8人回复
关于2011中俄(NSFC-FRBR)合作项目初审结果的通告
已经有6人回复
大家都来看看,交流一下这种缺陷是怎么形成的?
已经有32人回复
【其他】缺陷形成能与电中性要求
已经有12人回复
【求助】请问如何测定晶体中某种schotty缺陷的形成能?
已经有3人回复
1楼
2009-12-18 14:31:04
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
limaojlu
金虫
(正式写手)
应助: 8
(幼儿园)
金币: 618
散金: 690
红花: 9
帖子: 426
在线: 65.2小时
虫号: 554763
注册: 2008-05-08
性别: GG
专业: 半导体物理
★ ★
TIGERYZZ(金币
+2
,VIP
+0
):谢谢回帖交流
12-20 12:38
应为缺陷带电,所以,你可以理解失去的电子是要跑到费米水库的顶端,所以,在性能的最后一项,加上费米能级(变量)就行了,看看Zhang教授的文章,你就慢慢的理解了。
赞
一下
(6人)
回复此楼
高级回复
4楼
2009-12-20 10:44:59
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
查看全部 6 个回答
limaojlu
金虫
(正式写手)
应助: 8
(幼儿园)
金币: 618
散金: 690
红花: 9
帖子: 426
在线: 65.2小时
虫号: 554763
注册: 2008-05-08
性别: GG
专业: 半导体物理
★
ice_rain(金币
+1
,VIP
+0
):谢谢交流
12-19 23:01
其实你可以这样理解,现在这个情况是,缺陷本身收到材料的,参杂水平控制,比如你的In3+肯定在靠近VBM处(p型)形成能大了,建议你看看S.B.Zhang 教授 的文章了。
赞
一下
(6人)
回复此楼
2楼
2009-12-19 21:57:38
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
zw_tju
木虫
(小有名气)
应助: 1
(幼儿园)
金币: 1914
散金: 100
帖子: 155
在线: 72.6小时
虫号: 429063
注册: 2007-08-04
性别: GG
专业: 凝聚态物性 II :电子结构
谢谢,可是在计算中如何实现In3+形成能随费米能级变化的数据呢
引用回帖:
Originally posted by
limaojlu
at 2009-12-19 21:57:
其实你可以这样理解,现在这个情况是,缺陷本身收到材料的,参杂水平控制,比如你的In3+肯定在靠近VBM处(p型)形成能大了,建议你看看S.B.Zhang 教授 的文章了。
赞
一下
回复此楼
3楼
2009-12-20 09:19:27
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
enola
捐助贵宾
(正式写手)
1ST强帖: 2
应助: 13
(小学生)
金币: 1485.9
散金: 1549
红花: 14
帖子: 847
在线: 102.5小时
虫号: 947564
注册: 2010-01-24
专业: 半导体光电子器件
★
aylayl08(金币+1):这么老的帖子都翻出来解答,好厉害,谢谢帮忙 2010-08-25 16:37:34
引用回帖:
Originally posted by
zw_tju
at 2009-12-18 14:31:04:
看文献计算缺陷形成能的时候,常画出形成能算费米能级变化的关系图,可是费米能级对于特定的缺陷不是固定的吗?怎么理解呢?在具体计算中应如何考虑?
这个不同带电的情况是在外加电压下形成的,所以外加不同电压,会影响离子的价数,同时也会影响费米能级,所以要综合考虑,那个更稳定
赞
一下
(1人)
回复此楼
timeflies..
5楼
2010-08-25 15:52:17
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
查看全部 6 个回答
如果回帖内容含有宣传信息,请如实选中。否则帐号将被全论坛禁言
普通表情
龙
兔
虎
猫
高级回复
(可上传附件)
百度网盘
|
360云盘
|
千易网盘
|
华为网盘
在新窗口页面中打开自己喜欢的网盘网站,将文件上传后,然后将下载链接复制到帖子内容中就可以了。
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭
确定