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风继续吹526

银虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
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虫号: 464924
注册: 2007-11-22
性别: GG
专业: 材料物理与化学

[交流] 【版务】石墨靶什么条件下才容易被溅射

小弟在用磁控溅射法溅射石墨靶的时候，感觉石墨靶很难溅射，不知道哪位大侠能否指点一二，是不是需要高温和高的背底真空？偏压是不是越高越好？需不需要加什么反应气？
拜谢！

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1楼 2009-12-01 09:30:05

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

ppttcug

木虫 (小有名气)

甲虫

应助: 3 (幼儿园)
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虫号: 760133
注册: 2009-04-29
性别: GG
专业: 纳米计算物理

★ ★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
小木虫:)(金币+3,VIP+0):3q 12-1 20:53

你先说自己的实验条件再让别人发现问题。我觉得溅射是最没有什么技术含量的事情，比VCD容易调整多了。

太高的真空不需要，高温也没有需要，气体用氩气即可，虽然理论上用质量和碳质量接近的氖气更好。偏压一般即可，电压一般和气压成正比调整。你看到辉光没有？如果看到辉光却没有镀上去，可能需要考虑一下基片温度是否过高或者过低。