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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 基础研究 » 【版务】石墨靶什么条件下才容易被溅射
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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风继续吹526

银虫 (小有名气)

[交流] 【版务】石墨靶什么条件下才容易被溅射

小弟在用磁控溅射法溅射石墨靶的时候，感觉石墨靶很难溅射，不知道哪位大侠能否指点一二，是不是需要高温和高的背底真空？偏压是不是越高越好？需不需要加什么反应气？
拜谢！
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1楼 2009-12-01 09:30:05
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coating8397

挺好溅射的啊。ar就行
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2楼2009-12-01 09:46:32
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风继续吹526

银虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by coating8397 at 2009-12-1 09:46:
挺好溅射的啊。ar就行

能否详细说一下？谢谢
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3楼2009-12-01 09:59:51
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ppttcug

木虫 (小有名气)

甲虫
★ ★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
小木虫:)(金币+3,VIP+0):3q 12-1 20:53
你先说自己的实验条件再让别人发现问题。我觉得溅射是最没有什么技术含量的事情，比VCD容易调整多了。

太高的真空不需要，高温也没有需要，气体用氩气即可，虽然理论上用质量和碳质量接近的氖气更好。偏压一般即可，电压一般和气压成正比调整。你看到辉光没有？如果看到辉光却没有镀上去，可能需要考虑一下基片温度是否过高或者过低。
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4楼2009-12-01 10:19:55
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