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xhzhi1985

木虫 (著名写手)

[交流] 【请教】关于薄膜介电常数的测量

请教一下,我想测在硅片或石英片上沉积的薄膜的介电常数,但测量时必须带着衬底一块测量,那么测量的结果应该是薄膜和衬底两部分贡献的结果,有没有什么处理的方法用于除去衬底的贡献对测量结果的影响,衬底的介电常数已知,希望有高手给指导一下,谢谢!
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做事要规则,做人要原则
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shijp_1982

新虫 (初入文坛)

★ ★ ★ ★ ★
xhzhi1985(金币+5,VIP+0):非常感谢! 12-1 19:46
可以通过阻抗谱的测量来确定每个部分对电容的贡献。薄膜可以等效成RC并联,基片可以同样等效。测量阻抗谱就会得到两个半圆或者三个半圆(如果有界面贡献),每一个半圆代表一个RC的并联电路。因此两个半圆就分别代表薄膜和基片的贡献。阻抗的实部就是电阻R,虚部就是1/wC,其中w表示角频率。
You will never be alone
2楼2009-11-27 21:00:51
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xhzhi1985

木虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by shijp_1982 at 2009/11/27 21:00:
可以通过阻抗谱的测量来确定每个部分对电容的贡献。薄膜可以等效成RC并联,基片可以同样等效。测量阻抗谱就会得到两个半圆或者三个半圆(如果有界面贡献),每一个半圆代表一个RC的并联电路。因此两个半圆就分别代 ...

你好,我还是不太明白把薄膜等效成RC并联,能不能给解释一下,或给推荐一下相关的资料,谢谢!还有,怎么通过阻抗谱来确定衬底对介电常数的贡献?
做事要规则,做人要原则
3楼2009-12-02 19:20:48
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