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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 光学材料 » 【求助】为什么Ge 可以做 Laser pen (发光材料)而Si不可以？（能带理论解释）
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sunjingxue

木虫 (著名写手)

[交流] 【求助】为什么Ge 可以做 Laser pen (发光材料)而Si不可以？（能带理论解释） 已有5人参与

前段时间面试了个公司，问了一道关于放光材料的题。我是学化学的，但是对这方面不是很了解，网上也没怎么查明白，谢谢赐教。
为什么Ge 可以做 Laser pen (发光材料)而Si不可以？（能带理论解释）
PS：本人学过些计算，能带理论了解些。只是因为Ge的Eg比较小么？ 它俩都是间接能隙的是吧，和这个有关系么，还有之前也有个问题是为什么硅不能用作发光材料。 先谢谢大家了！

[ Last edited by GrasaVampiro on 2010-7-1 at 10:34 ]
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1楼 2009-11-09 14:55:50
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lulinsmann

木虫 (著名写手)

三无小小鸟
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
2楼: Originally posted by 稀土之光 at 2010-07-01 11:41:28:
禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。Si的原子序数比Ge的小，则Si的价电子束缚得较紧，所以Si的禁带宽度比Ge的要大一些。Ge、Si的禁带宽度在室温 ...

1年前的帖子了，但是你的回答貌似是错误的啊。Ge的带隙值低于Si，这样Ge的发射波长比Si还要长，更红外了，完全不在可见光范围内。
不过我也回答不了lz的问题。Ge能干而Si不能干，这是为什么呢
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江湖背影
9楼2011-08-03 19:36:28
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稀土之光

新虫 (小有名气)
★ ★ ★ ★
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GrasaVampiro(金币+3):thanks 2010-07-01 10:34:22
禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。Si的原子序数比Ge的小，则Si的价电子束缚得较紧，所以Si的禁带宽度比Ge的要大一些。Ge、Si的禁带宽度在室温下分别为0.66eV、1.12 eV。通过1eV=1.602×10-19焦耳，E=hv=hc/波长，其中h,c是常数，这样可以算出Ge、Si半导体激发发射的光波长分别为627nm和1059nm,显然前者肉眼可见的红光，后者肉眼没法见到的红外光。
Laser pen 指的是激光笔，就是用激光作为指示的一种工具。可以指示的长度比较远，可以代替教鞭等指示工具，也可以在播放幻灯片ppt等使用，作为指示用。红色的激光笔比较容易做，波长大约为600多纳米，有成熟的技术，还有成熟的半导体工艺材料。而绿色的激光波长大约为530nm，目前这个波段的半导体激光技术不是很成熟，所以，绿色激光笔价格贵，功率低。
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欢迎交流心得liushan0324@163.com
2楼2010-07-01 11:41:28
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稀土之光

新虫 (小有名气)
都过去大半年了 晚了些哈 刚看到
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欢迎交流心得liushan0324@163.com
3楼2010-07-01 11:42:32
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diamondfire

木虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
引用回帖:
Originally posted by 稀土之光 at 2010-07-01 11:41:28:
禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。Si的原子序数比Ge的小，则Si的价电子束缚得较紧，所以Si的禁带宽度比Ge的要大一些。Ge、Si的禁带宽度在室温 ...

您解答的真清楚！
谢谢。
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再烦，也别忘微笑；再急，也要注意语气；再苦，也别忘坚持；再累，也要爱自己。低调做人，你会一次比一次稳健；高调做事，你会一次比一次优秀。
4楼2010-07-02 12:49:59
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