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sunjingxue木虫 (著名写手)
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[交流]
【求助】为什么Ge 可以做 Laser pen (发光材料)而Si不可以？（能带理论解释） 已有5人参与
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前段时间面试了个公司，问了一道关于放光材料的题。我是学化学的，但是对这方面不是很了解，网上也没怎么查明白，谢谢赐教。 为什么Ge 可以做 Laser pen (发光材料)而Si不可以？（能带理论解释） PS：本人学过些计算，能带理论了解些。只是因为Ge的Eg比较小么？ 它俩都是间接能隙的是吧，和这个有关系么，还有之前也有个问题是为什么硅不能用作发光材料。 先谢谢大家了！ [ Last edited by GrasaVampiro on 2010-7-1 at 10:34 ] |
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9楼2011-08-03 19:36:28
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lz的问题我也回答不了，试着回答你后面的两个： “为什么书上只考虑从价带底跃迁到导带顶，是因为这两个状态下的电子态密度大，出现的几率大的缘故吗？” -----我认为这是因为价带顶到导带底的跃迁所需能量是最低的，即电子跃迁理论上所需的最低能量就是带隙值。 “另外，间接能隙只考虑了离费米能级最近的一条价带和一条导带，如果第二条导带和第一条导带之间是直接能隙关系，那么激发到第二条导带的电子能否容易地跃迁到第一条导带上呢？” -----首先，能隙指的是价带与导带间的能量差，不是导带能级之间。第二，确实有价带到另外一条导带能级的直接跃迁（比如Si，好像第三最低导带底就是直接跃迁）。只要激发能量足够高，是可以实现这种直接跃迁。第三，导带能级之间电子移动是弛豫过程，空穴在价带上呆着呢，不存在跃迁过程。 |
10楼2011-08-03 19:44:20