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葡萄爱学习

铁虫 (小有名气)

[求助] 请教一下,CuO在进行理论计算后带隙为0 eV 已有1人参与

请教一下,CuO在进行理论计算后带隙为0 eV。CuO作为半导体材料,没有带隙,这样的结果正常吗?或者问题在哪里?图片链接: https://pan.baidu.com/s/11tI1hSAgPHCVtGt2X_i_uQ?pwd=2yjw 提取码: 2yjw 复制这段内容后打开百度网盘手机App,操作更方便哦
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葡萄爱学习

铁虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
3楼: Originally posted by fgmsyutong at 2025-01-17 18:49:36
HSE

好的
发自小木虫手机客户端
7楼2025-01-18 15:13:05
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查看全部 8 个回答

龙余沧海

铁杆木虫 (著名写手)

计算的不对,以实测的为准

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岁月太匆匆和谁一起走过
2楼2025-01-15 09:56:04
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3楼2025-01-17 18:49:36
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rlafite

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

CuO(铜氧化物)在实验中表现为具有带隙的半导体材料,带隙大约在1.2 eV左右。带隙为0 eV通常意味着材料被认为是金属,或者计算中存在问题。
解决方法:
尝试使用DFT+U方法来修正铜氧化物中的电子关联效应,通常可以更准确地计算带隙。
确保使用正确的CuO晶体结构,考虑可能的晶体缺陷或表面效应。
如果条件允许,使用GW近似等更高精度的方法来计算带隙。
总之,带隙为0 eV的结果是不正常的,可能与计算方法或模型选择相

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

4楼2025-01-18 00:19:29
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