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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 请教一下，CuO在进行理论计算后带隙为0 eV
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葡萄爱学习

铁虫 (小有名气)

[求助] 请教一下，CuO在进行理论计算后带隙为0 eV 已有1人参与

请教一下，CuO在进行理论计算后带隙为0 eV。CuO作为半导体材料，没有带隙，这样的结果正常吗？或者问题在哪里？图片链接: https://pan.baidu.com/s/11tI1hSAgPHCVtGt2X_i_uQ?pwd=2yjw 提取码: 2yjw 复制这段内容后打开百度网盘手机App，操作更方便哦
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1楼 2025-01-14 18:32:11
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龙余沧海

铁杆木虫 (著名写手)
计算的不对，以实测的为准
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葡萄爱学习
岁月太匆匆和谁一起走过
2楼2025-01-15 09:56:04
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fgmsyutong
HSE
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葡萄爱学习
3楼2025-01-17 18:49:36
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rlafite

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

CuO（铜氧化物）在实验中表现为具有带隙的半导体材料，带隙大约在1.2 eV左右。带隙为0 eV通常意味着材料被认为是金属，或者计算中存在问题。
解决方法：
尝试使用DFT+U方法来修正铜氧化物中的电子关联效应，通常可以更准确地计算带隙。
确保使用正确的CuO晶体结构，考虑可能的晶体缺陷或表面效应。
如果条件允许，使用GW近似等更高精度的方法来计算带隙。
总之，带隙为0 eV的结果是不正常的，可能与计算方法或模型选择相
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葡萄爱学习
4楼2025-01-18 00:19:29
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葡萄爱学习

铁虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
4楼: Originally posted by rlafite at 2025-01-18 00:19:29
CuO（铜氧化物）在实验中表现为具有带隙的半导体材料，带隙大约在1.2 eV左右。带隙为0 eV通常意味着材料被认为是金属，或者计算中存在问题。
解决方法：
尝试使用DFT+U方法来修正铜氧化物中的电子关联效应，通常可 ...

好的，谢谢
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5楼2025-01-18 15:09:39
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葡萄爱学习

铁虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by 龙余沧海 at 2025-01-15 09:56:04
计算的不对，以实测的为准

好的谢谢
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6楼2025-01-18 15:11:38
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铁虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
3楼: Originally posted by fgmsyutong at 2025-01-17 18:49:36
HSE

好的
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7楼2025-01-18 15:13:05
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rlafite

木虫 (正式写手)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 葡萄爱学习 at 2025-01-17 19:09:39
好的，谢谢
...

不知道你是否熟悉mBJ，对于半导体和绝缘体，有这几种选择
DFT+U
PBE+mBJ
PBE+GW
LDA+DMFT
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8楼2025-03-06 02:01:10
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