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大力2010

金虫 (著名写手)

[求助] 请教大神,带隙是DFT计算出来的还是实验测出来的?已有3人参与

Materials project 数据库上 CsinAgCl6的BAND gap 显示为 1.34 eV , 而文献上说 CsinAgCl6的带隙为3.05 eV .
另一篇文献<<“Blue-light-excited narrowing red photoluminescence in lead-free double perovskite Cs2−xKxAg0.6Na0.4In0.8Bi0.2Cl6−xBrx with cryogenic effects”>>从紫外-可见吸收光谱中估计的带隙.

文献 《通过铁合金调整 Cs2AgInCl6 纳米晶体的带隙以实现光电应用》:“所有无机金属卤化物包晶纳米晶体(NCs)因其在光电器件中的潜在应用而备受关注。在此,我们首次报道了利用热注入法轻松合成 Fe3+ 合金 Cs2AgInCl6 双包晶纳米晶体的过程。在原始结构中,Fe3+ 部分取代了 In3+,导致晶格收缩,同时保留了双包晶结构,合金含量高达 30%。X 射线衍射图(XRD)和电子自旋共振光谱(ESR)都证实了这一点。通过改变双包晶系中合金化的 Fe3+ 数量,带隙从 3.05 eV 显著调整到 2.0 eV。”


<<“Blue-light-excited narrowing red photoluminescence in lead-free double perovskite Cs2−xKxAg0.6Na0.4In0.8Bi0.2Cl6−xBrx with cryogenic effects”>>图2b 从紫外-可见吸收光谱中估计的带隙..好像是靠几条虚线的在X轴上的截距估计带隙,带隙=截距之差 ?

请教大神,带隙是DFT计算出来的还是实验测出来的?
图2b 从紫外-可见吸收光谱中估计的带隙.
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god_tian

至尊木虫 (文坛精英)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
一切理论计算都需要实验验证,在实验测试可靠的情况下,以实验结果为准。

你在MJ网站看到的带隙是DFT计算采用GGA广义梯度近似计算得到。DFT计算下GGA近似或者LDA近似在计算半导体带隙都存在带隙偏小问题,最典型的是ZnO带隙。解决办法DFT+U,或者HSE杂化泛函去局域化,最理想的是近年发展的GW方法。

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4楼2024-12-21 22:15:23
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Ayase_lumi

铜虫 (小有名气)

UV-Vis (DRS)通过tauc图得出来的叫光学带隙,DFT也可以算,一般是二者相互印证的

发自小木虫手机客户端
3
2楼2024-12-21 21:40:32
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dxcharlary

专家顾问 (职业作家)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
带隙显然是测出来的啊。
所有的计算只是在微观层面对客观现实的一种简化描述,不能取代对客观现实的直接测量。
至于说DFT的带隙,DFT会低估带隙,这事应该是做计算尤其是光谱学相关计算的常识。
3楼2024-12-21 22:14:43
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大力2010

金虫 (著名写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by god_tian at 2024-12-21 22:15:23
一切理论计算都需要实验验证,在实验测试可靠的情况下,以实验结果为准。
你在MJ网站看到的带隙是DFT计算采用GGA广义梯度近似计算得到。DFT计算下GGA近似或者LDA近似在计算半导体带隙都存在带隙偏小问题,最典型的是 ...

但是GW的计算量不是一般的大。我的32核,128G 搞不定
5楼2024-12-22 15:55:22
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