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请教大神，带隙是DFT计算出来的还是实验测出来的？ 已有3人参与
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Materials project 数据库上 CsinAgCl6的BAND gap 显示为 1.34 eV ， 而文献上说 CsinAgCl6的带隙为3.05 eV . 另一篇文献<<“Blue-light-excited narrowing red photoluminescence in lead-free double perovskite Cs2−xKxAg0.6Na0.4In0.8Bi0.2Cl6−xBrx with cryogenic effects”>>从紫外-可见吸收光谱中估计的带隙. 文献 《通过铁合金调整 Cs2AgInCl6 纳米晶体的带隙以实现光电应用》：“所有无机金属卤化物包晶纳米晶体（NCs）因其在光电器件中的潜在应用而备受关注。在此，我们首次报道了利用热注入法轻松合成 Fe3+ 合金 Cs2AgInCl6 双包晶纳米晶体的过程。在原始结构中，Fe3+ 部分取代了 In3+，导致晶格收缩，同时保留了双包晶结构，合金含量高达 30%。X 射线衍射图（XRD）和电子自旋共振光谱（ESR）都证实了这一点。通过改变双包晶系中合金化的 Fe3+ 数量，带隙从 3.05 eV 显著调整到 2.0 eV。” <<“Blue-light-excited narrowing red photoluminescence in lead-free double perovskite Cs2−xKxAg0.6Na0.4In0.8Bi0.2Cl6−xBrx with cryogenic effects”>>图2b 从紫外-可见吸收光谱中估计的带隙..好像是靠几条虚线的在X轴上的截距估计带隙，带隙=截距之差 ？  图2b 从紫外-可见吸收光谱中估计的带隙. |
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【答案】应助回帖
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一切理论计算都需要实验验证，在实验测试可靠的情况下，以实验结果为准。 你在MJ网站看到的带隙是DFT计算采用GGA广义梯度近似计算得到。DFT计算下GGA近似或者LDA近似在计算半导体带隙都存在带隙偏小问题，最典型的是ZnO带隙。解决办法DFT+U，或者HSE杂化泛函去局域化，最理想的是近年发展的GW方法。 发自小木虫IOS客户端 |
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