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求教氮化硅陶瓷开发过程的检测方法 已有2人参与
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求教关于氮化硅陶瓷烧结后检测的问题： 背景：刚开始接触此类工艺，初步烧结了几块样品，需要样品反馈的内容，主要是烧结工艺是否合理，如不合理应该在烧结、成型、粉体制备、粉体等环节，哪里来找原因，怎么找。 为此该做什么检测逻辑，比如先检测导热率，强度，密度等物理性能，还是应该先进行XRD,SEM等微观组织分析？ 请各位老师指导，感觉应该算系统工程了吧。 请不吝指导！ |
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2楼2024-11-27 09:05:56
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看你描述的过程，应该是属于干压。 先梳理一下过程：制浆-喷雾造粒-干压成型-粗加工-(脱脂)-烧结。 制浆、喷雾造粒的目的是为了搞定干压成型，确认干压成型不开裂，再去优化配方，这里管一下松装密度、压实密度。 干压这里又分为压制曲线和是否过等静压消除压制不均匀。 烧结这里管熟坯密度，表面气孔，可能还有个烧结变形。烧得好不好主要看这个烧结密度和变形。 剩下的才是一些指标，导热率、强度、再辅助使用XRD\SEM进行分析。 总之就是先确保东西能做出来，再一步一步改吧，别想着一步到位。 至于DOE、配方优化啥的，等你把这些摸熟之后再开始吧，一开始想这些没有意义。 不过可以先写写DFMEA、PFEMA、过程流程图，然后再梳理过程吧。 |
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可能先得理理思路，特别是在刚开始的时候。 比如说氮化硅，主要是导热性能和高温力学性能比较好，就以这两个点作为中心去找原料，也就是DFEMA阶段。 然后就是选工艺路线，如果是结构件，多数是走干压路线，可能就得涉及到球磨制浆喷雾造粒，但是可以省略脱脂，直接在进入烧结阶段。 如果是基板、电子元器件类的，可能走流延成型路线，那么流延才是重点，也需要增加脱脂工序，因为有机物比较多。 再说烧结，可以利用TG-DSC确认一下有机物分解温度，在这个位置适当保温。同时利用碳硫仪测试有机物残留，用于确定脱脂时间。 找几篇别人的毕业论文看一下，基本上工序、监测指标就能了解个大概，过程控制就看自己对应的设备了。 |
7楼2024-11-27 14:21:36
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