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求助单层cvd石墨烯器件金属接触电阻问题
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我们于外面acs购买了cvd单层石墨烯材料制作石墨烯fet，使用电子束蒸发镀Ni/Au(10nm/30nm)剥离作为接触电极，但是测量器件的Ids-Vds曲线在小电压下几乎不导通，加大电压，在大电流下（1ua以上）循环测试几次后，才能变为线性的iv（低电阻状态）。但是如果不施加电压，过一段时间后，又会变为高阻状态。已在Ar 250°、350°中退火两次，没有改变。之前用过Ti/Au,Cr/Au,扫iv也有些弯曲，有些像肖特基接触 求助有没有遇到过类似问题的解决办法，我们希望实现欧姆接触，在小电压下也是一个线性的iv。 Stochastic nonlinear electrical characteristics of graphene 目前非常类似于这篇文章中提到的情况 |
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