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求助单层cvd石墨烯器件金属接触电阻问题
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我们于外面acs购买了cvd单层石墨烯材料制作石墨烯fet,使用电子束蒸发镀Ni/Au(10nm/30nm)剥离作为接触电极,但是测量器件的Ids-Vds曲线在小电压下几乎不导通,加大电压,在大电流下(1ua以上)循环测试几次后,才能变为线性的iv(低电阻状态)。但是如果不施加电压,过一段时间后,又会变为高阻状态。已在Ar 250°、350°中退火两次,没有改变。之前用过Ti/Au,Cr/Au,扫iv也有些弯曲,有些像肖特基接触 求助有没有遇到过类似问题的解决办法,我们希望实现欧姆接触,在小电压下也是一个线性的iv。 Stochastic nonlinear electrical characteristics of graphene 目前非常类似于这篇文章中提到的情况 |
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