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【请教】陶瓷烧结时应该注意什么啊？
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陶瓷烧结应该注意什么啊？ 我是做微波介质陶瓷的，现在研究A(B'1/3B''2/3)O3体系，钽基陶瓷烧结温度在1500度以上，有些体系也已经报道了烧结温度在1600多度，但我烧结相同的体系1550摄氏度有时样品看上去焉儿吧唧的，像没有瓷化的样子，1500度时烧的很好，这样看只能是温度过高了，但却还远没达到其致密化温度；这是什么原因呢？是烧结这一环节的问题，还是前期球磨、过筛、混合增塑剂、压片等某一方面造成的？望各位不吝赐教，谢谢！ |
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donghelei(金币+1,VIP+0): 10-6 08:58
donghelei(金币+1,VIP+0): 10-6 08:58
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烧结温度范围一般是指陶瓷能够致密化烧结的温度区间，温度过低致密度达不到要求，温度过高由于样品挥发、分解或者晶粒的异常长大，也会出现致密度下降的区间，因此，不同的陶瓷都有一个合适的烧结温度区间。 你的造粒80目过筛确实有点大了，会导致粉料粒径分别不均匀，容易造成烧结过程晶粒异常生长。 升温速度达到300度/分钟不慢了。降温速度过快的，可以设定程序降温，不过多致密度提高价值不大，降低升温速率效果可能更好。 氧化铝基板在1400度以下一般不会和你的体系反应，主要是烧结温度过高，纯氧化铝在1600度也寿命很短。 |
11楼2009-10-05 18:50:36
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2楼2009-10-02 21:55:00
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3楼2009-10-03 19:01:50
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4楼2009-10-04 10:17:41
30