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用crosslight中 APSYS做MQW LED
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最近在看：Step-type quantum wells with slightly varied InN composition for GaN-based yellow micro light-emitting diodes，存在一下疑惑 1. 搭建器件结构时，是基于examples中的InGaN修改的，材料的电子和空穴的lifetime和Auger，以及band_offset需要修正吗？一般在什么情况下修正？ 2. EQE、IQE和Optical Power的提取方法 3. 复现的电子、空穴和辐射复合结果和文献中的不同 文献中的图应该在较大的偏压下空穴才会穿越到远端的quantum well的吧 4.能带图中，文献中的电子注入层的价带和quantum barrier价带的起点一样高，而复现的则明显较低，是什么原因呢？ 5.在最后一个quantum well中，空穴分布文献中的很规整，复现的不规整，为什么呢？ 6.在做Srh 复合时，应该是将所有quantum well中的加起来的吧 |
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chenhuanlong
禁虫 (文学泰斗)
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legodgz(金币+2): 谢谢参与
legodgz(金币+2): 谢谢参与
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4楼2023-03-19 17:57:38
简单回复
yuekong2楼
2023-03-19 17:16
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nono20093楼
2023-03-19 17:34
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legodgz(金币+2): 谢谢参与
。 发自小木虫Android客户端
XG-WUST5楼
2023-03-19 20:07
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legodgz(金币+2): 谢谢参与
up 发自小木虫IOS客户端
a51231410楼
2023-03-22 16:41
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legodgz(金币+2): 谢谢参与
