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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 计算模拟 » 理论与计算方法 » 用crosslight中 APSYS做MQW LED
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legodgz

银虫 (小有名气)

[交流] 用crosslight中 APSYS做MQW LED

最近在看：Step-type quantum wells with slightly varied InN composition for GaN-based yellow micro light-emitting diodes，存在一下疑惑
1. 搭建器件结构时，是基于examples中的InGaN修改的，材料的电子和空穴的lifetime和Auger，以及band_offset需要修正吗？一般在什么情况下修正？

2. EQE、IQE和Optical Power的提取方法

3. 复现的电子、空穴和辐射复合结果和文献中的不同
    文献中的图应该在较大的偏压下空穴才会穿越到远端的quantum well的吧

4.能带图中，文献中的电子注入层的价带和quantum barrier价带的起点一样高，而复现的则明显较低，是什么原因呢？
  
5.在最后一个quantum well中，空穴分布文献中的很规整，复现的不规整，为什么呢？
  
6.在做Srh 复合时，应该是将所有quantum well中的加起来的吧
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1楼 2023-03-19 17:12:13
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chenhuanlong

禁虫 (文学泰斗)
★
legodgz(金币+2): 谢谢参与
本帖内容被屏蔽
4楼2023-03-19 17:57:38
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yuekong2楼
2023-03-19 17:16   回复  
legodgz(金币+2): 谢谢参与
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nono20093楼
2023-03-19 17:34   回复  
legodgz(金币+2): 谢谢参与
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XG-WUST5楼
2023-03-19 20:07   回复  
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tzynew6楼
2023-03-19 20:41   回复  
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xiaoqiuqiu207楼
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psylhh8楼
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红尘赶路人9楼
2023-03-22 11:29   回复  
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a51231410楼
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心月孤悬11楼
2023-03-22 19:29   回复  
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babero12楼
2023-03-22 19:35   回复  
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