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[交流]
用crosslight中 APSYS做MQW LED
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最近在看:Step-type quantum wells with slightly varied InN composition for GaN-based yellow micro light-emitting diodes,存在一下疑惑 1. 搭建器件结构时,是基于examples中的InGaN修改的,材料的电子和空穴的lifetime和Auger,以及band_offset需要修正吗?一般在什么情况下修正? 2. EQE、IQE和Optical Power的提取方法 3. 复现的电子、空穴和辐射复合结果和文献中的不同 文献中的图应该在较大的偏压下空穴才会穿越到远端的quantum well的吧 4.能带图中,文献中的电子注入层的价带和quantum barrier价带的起点一样高,而复现的则明显较低,是什么原因呢? 5.在最后一个quantum well中,空穴分布文献中的很规整,复现的不规整,为什么呢? 6.在做Srh 复合时,应该是将所有quantum well中的加起来的吧 |
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chenhuanlong
禁虫 (文学泰斗)
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legodgz(金币+2): 谢谢参与
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4楼2023-03-19 17:57:38
简单回复
yuekong2楼
2023-03-19 17:16
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nono20093楼
2023-03-19 17:34
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XG-WUST5楼
2023-03-19 20:07
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tzynew6楼
2023-03-19 20:41
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2023-03-19 21:04
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psylhh8楼
2023-03-20 18:28
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红尘赶路人9楼
2023-03-22 11:29
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a51231410楼
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心月孤悬11楼
2023-03-22 19:29
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babero12楼
2023-03-22 19:35
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