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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 电工材料 » 求解磁控溅射的ITO方阻特别大的原因
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Mirectol

新虫 (初入文坛)

[求助] 求解磁控溅射的ITO方阻特别大的原因 已有2人参与

我们是做薄膜电池的，用ITO作为窗口层收集载流子。前段时间方阻已经到达了75欧姆而透过率在400纳米波长降到了60%。如今再做霍尔方阻都上万了而透过率却勉强75%。。目前研二遇到这问题很头疼有没有遇到类似的大佬讲解下，磁控启辉的颜色是粉色（N5氩气，条件是0.15pa,130w半小时溅射约180nm厚）

求解磁控溅射的ITO方阻特别大的原因


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1楼 2022-12-22 09:24:51
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hong880214

新虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

氧含量 没有调节好
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2楼2023-01-03 19:53:55
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jintianly

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

180nm的ITO，不加热镀的话应该可以做到35Ω以下，加热（基底实际温度>185℃）的话，应该可以做到15Ω以下。重新调节下氧含量、溅射气压、电压啥的吧。
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镀膜的物理生
3楼2023-06-29 15:26:43
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