10楼: Originally posted by yxmzs001 at 2022-12-13 21:23:36
嗯，书中小节内容看完了。我的样品测试符合浸泡中期的EIS模型，且拟合电路也相同。但是，书中的内容针对的是金属基体上的有机涂层，而我的样品是金属基体上的金属涂层，金属涂层是致密的合金。
书中对于相位角大的 ...

11楼: Originally posted by season7865 at 2022-12-13 21:55:05
差不多就是这个意思。高频高相位角是体系内大电阻小电容引起的。除了部分贵金属，金属在环境中都要考虑表面氧化膜的影响，氧化物膜导电性差，所以电阻较大。
另外一个问题是小电容，这个可以继续看6.1.5节
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12楼: Originally posted by yxmzs001 at 2022-12-13 22:57:02
6.1.5节看完了，对于您说的小电容问题，此小节没看到有具体的相关介绍，或者是我没有理解此节对有机涂层（或氧化膜）引起的小电容问题的解释。
还希望前辈能帮忙指点一下...

13楼: Originally posted by season7865 at 2022-12-13 23:38:08
公式6—188和6—189
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13楼: Originally posted by season7865 at 2022-12-13 23:38:08
公式6—188和6—189
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14楼: Originally posted by yxmzs001 at 2022-12-14 00:02:38
嗯，明白了，金属涂层表面氧化膜的电容较小，是因为氧化膜的介电常数较小，所以其电容小。
那么，是否可以根据公式，推断出4种涂层的高频相位角大小的不同，原因是不同成分金属涂层氧化膜的介电常数有一定差异，以 ...

16楼: Originally posted by season7865 at 2022-12-15 20:03:40
理论上讲是可以，但是实际情况太过复杂。
第一、复合金属涂层氧化膜的成分很复杂；
第二、氧化膜有空隙，会有部分电解液渗进来，
这两点导致我们很难界定其介电常数。
第三、钝化膜的结构很复杂，是多层结构， ...