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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 晶体 » 基础理论 » MOCVD生长氧化镓，为啥一般用Ar做载气，而N2用的很少？
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luanzx6588

木虫 (正式写手)

[求助] MOCVD生长氧化镓，为啥一般用Ar做载气，而N2用的很少？ 已有1人参与

求助，

MOCVD生长氧化镓，为啥一般用Ar做载气，而N2用的很少？

生长条件一般40mbar，800℃，富氧气氛。

是N2分解，还是N2少量与O2反应，或其他？
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1楼 2022-10-18 13:45:38
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luanzx6588

木虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by mtlxl at 2023-08-21 17:33:56
在氧化镓中，HVPE用的是N2作为载气，反应温度在1200摄氏度，用的Ga源是GaCl or GaCl3，O源为氧气，所以不存在N2分解也不存在与O2反应，N2的分解温度和反应温度远远高于800摄氏度。主要原因在于N2作为载气极大降低氧 ...

感谢，请问有相关的文献资料吗，我一直没找到
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4楼2023-08-22 10:26:56
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mtlxl

铜虫 (初入文坛)
在氧化镓中，HVPE用的是N2作为载气，反应温度在1200摄氏度，用的Ga源是GaCl or GaCl3，O源为氧气，所以不存在N2分解也不存在与O2反应，N2的分解温度和反应温度远远高于800摄氏度。主要原因在于N2作为载气极大降低氧化镓的沉积速率，MO生长氧化镓的Ga源为三甲基镓，N2作为载气，Ga源的扩散系数低，再加上MO本身的沉积速率，所以不适合采用N2作为载气。
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2楼2023-08-21 17:32:49
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mtlxl

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

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luanzx6588: 金币+200, ★★★★★最佳答案 2023-08-22 10:26:22
在氧化镓中，HVPE用的是N2作为载气，反应温度在1200摄氏度，用的Ga源是GaCl or GaCl3，O源为氧气，所以不存在N2分解也不存在与O2反应，N2的分解温度和反应温度远远高于800摄氏度。主要原因在于N2作为载气极大降低氧化镓的沉积速率，MO生长氧化镓的Ga源为三甲基镓，N2作为载气，Ga源的扩散系数低，再加上MO本身的沉积速率，所以不适合采用N2作为载气。
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3楼2023-08-21 17:33:56
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