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luanzx6588木虫 (正式写手)
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[求助]
MOCVD生长氧化镓，为啥一般用Ar做载气，而N2用的很少？ 已有1人参与
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求助， MOCVD生长氧化镓，为啥一般用Ar做载气，而N2用的很少？ 生长条件一般40mbar，800℃，富氧气氛。 是N2分解，还是N2少量与O2反应，或其他？ |
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luanzx6588
木虫 (正式写手)
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- 专业: 无机非金属类光电信息与功
4楼2023-08-22 10:26:56
2楼2023-08-21 17:32:49
【答案】应助回帖
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luanzx6588: 金币+200, ★★★★★最佳答案 2023-08-22 10:26:22
luanzx6588: 金币+200, ★★★★★最佳答案 2023-08-22 10:26:22
| 在氧化镓中，HVPE用的是N2作为载气，反应温度在1200摄氏度，用的Ga源是GaCl or GaCl3，O源为氧气，所以不存在N2分解也不存在与O2反应，N2的分解温度和反应温度远远高于800摄氏度。主要原因在于N2作为载气极大降低氧化镓的沉积速率，MO生长氧化镓的Ga源为三甲基镓，N2作为载气，Ga源的扩散系数低，再加上MO本身的沉积速率，所以不适合采用N2作为载气。 |
3楼2023-08-21 17:33:56