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luanzx6588

木虫 (正式写手)

[求助] MOCVD生长氧化镓,为啥一般用Ar做载气,而N2用的很少? 已有1人参与

求助,

MOCVD生长氧化镓,为啥一般用Ar做载气,而N2用的很少?

生长条件一般40mbar,800℃,富氧气氛。

是N2分解,还是N2少量与O2反应,或其他?
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mtlxl

铜虫 (初入文坛)

在氧化镓中,HVPE用的是N2作为载气,反应温度在1200摄氏度,用的Ga源是GaCl or GaCl3,O源为氧气,所以不存在N2分解也不存在与O2反应,N2的分解温度和反应温度远远高于800摄氏度。主要原因在于N2作为载气极大降低氧化镓的沉积速率,MO生长氧化镓的Ga源为三甲基镓,N2作为载气,Ga源的扩散系数低,再加上MO本身的沉积速率,所以不适合采用N2作为载气。
2楼2023-08-21 17:32:49
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mtlxl

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

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luanzx6588: 金币+200, ★★★★★最佳答案 2023-08-22 10:26:22
在氧化镓中,HVPE用的是N2作为载气,反应温度在1200摄氏度,用的Ga源是GaCl or GaCl3,O源为氧气,所以不存在N2分解也不存在与O2反应,N2的分解温度和反应温度远远高于800摄氏度。主要原因在于N2作为载气极大降低氧化镓的沉积速率,MO生长氧化镓的Ga源为三甲基镓,N2作为载气,Ga源的扩散系数低,再加上MO本身的沉积速率,所以不适合采用N2作为载气。
3楼2023-08-21 17:33:56
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luanzx6588

木虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by mtlxl at 2023-08-21 17:33:56
在氧化镓中,HVPE用的是N2作为载气,反应温度在1200摄氏度,用的Ga源是GaCl or GaCl3,O源为氧气,所以不存在N2分解也不存在与O2反应,N2的分解温度和反应温度远远高于800摄氏度。主要原因在于N2作为载气极大降低氧 ...

感谢,请问有相关的文献资料吗,我一直没找到
4楼2023-08-22 10:26:56
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