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迷路动脉新虫 (初入文坛)
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位错强化和背应力强化有什么区别 已有2人参与
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初次接触背应力 一说是位错源在滑移面上产生的位错由于晶界、孪晶界等受阻,塞积后产生背应力,背应力反作用于位错源,当背应力做够大时,可使位错源停止开动 一说是在材料变形过程中,软-硬单元之间会产生极大的应变不协调。这样,会在软-硬单元域之间产生很大的“背应力”。 所以哪个比较对呢,还是都对呀?有没有师兄师姐能简单说一下 或者推荐比较他们的文献什么的,救救孩子吧… @wacky1980 @comma 发自小木虫Android客户端 |
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