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迷路动脉新虫 (初入文坛)
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位错强化和背应力强化有什么区别 已有2人参与
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初次接触背应力 一说是位错源在滑移面上产生的位错由于晶界、孪晶界等受阻，塞积后产生背应力，背应力反作用于位错源，当背应力做够大时，可使位错源停止开动 一说是在材料变形过程中，软-硬单元之间会产生极大的应变不协调。这样，会在软-硬单元域之间产生很大的“背应力”。 所以哪个比较对呢，还是都对呀？有没有师兄师姐能简单说一下 或者推荐比较他们的文献什么的，救救孩子吧… @wacky1980 @comma 发自小木虫Android客户端 |
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 金属电化学腐蚀 |
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mmc
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