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shinejesse金虫 (小有名气)
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55楼2009-09-14 18:19:35
shinejesse
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opq691(金币+1,VIP+0):谢谢回帖交流 9-8 11:31
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CID 英文是 collision-induced dissociation 碰撞诱导解离。通常在真空接口处调节电压发生CID现象,一般是去除溶剂,如果电压增大,也会产生碎片离子。这是一级质谱的原理。CAD collision-activated dissociation 碰撞活化解离。 做二级质谱时,应该是发生在Q2处吧,选择的母离子的进入Q2后 碰撞活化产生子离子,这个过程称为 CAD。 我们用的API3200,CID指的是Q0里面的诱导碰撞的气体,CAD指的是Q3里面的诱导碰撞气体,也就是说,API里的CID&CAD都是指氮气。 还有一种叫作:源内CID 在串联质谱还不普及的三年前,很多人夸大单级质谱的作用,比如:单级四极杆、LC-TOF、MALDI-TOF,说,液质你不是只看到分子离子峰么?你不是需要更多的碎片信息么?这里,我就可以做CID(其实是源内CID),给你想要的碎片。然后,他就拿一张标样的图,给你show一下,显示低电压时是分子离子峰,提高skimmer或orifice电压后,就可以得到碎片峰。 后来,人们在真正实验中,认识到我们其实不是在做标样,液质的基质干扰和溶剂本底干扰很大,如果不分离出要的离子,直接作CID,会给出一系列不能解释的峰。 所以,现在大家都喜欢LCMSMS了。 在串联四极杆中,源内CID指在离子源内加一定的电压(Source CID),对化合物的离子化进行优化,可减弱溶剂加合离子的影响。 对于Thermo的TSQ仪器,Source CID建议设置在8-12之间,此外加不加Source CID对信号影响应在20%左右,否则可能是仪器出现问题的征兆。 源内CID不能取代LC-MS-MS(即真正的CID或CAD) |
2楼2009-09-05 22:25:07
3楼2009-09-06 11:22:11
shinejesse
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4楼2009-09-06 15:24:15












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