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寻找 可协调做基础实验的【CVD制备SiC薄膜】设备
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制备工艺:化学气相沉积 CVD 膜层材料:SiC薄膜 膜层厚度:20-40μm 所沉积的基体:带有贯穿性裂纹的ZrO2陶瓷基体。基体尺寸:直径30mm×5-10mm厚;或 50×10×5mm。(注:贯穿性裂纹宽度1μm,希望能通过沉积将裂纹填充) 其他需求:受疫情影响,薄膜制备地点需要在北京,便于去现场实际调整工艺。 万分感谢!!! |
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