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寻找 可协调做基础实验的【CVD制备SiC薄膜】设备
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制备工艺：化学气相沉积 CVD 膜层材料：SiC薄膜 膜层厚度：20-40μm 所沉积的基体：带有贯穿性裂纹的ZrO2陶瓷基体。基体尺寸：直径30mm×5-10mm厚；或 50×10×5mm。（注：贯穿性裂纹宽度1μm，希望能通过沉积将裂纹填充） 其他需求：受疫情影响，薄膜制备地点需要在北京，便于去现场实际调整工艺。 万分感谢！！！ |
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