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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 【求助】一.单晶硅表面如何获得较厚的SiO2层二.关于旋转涂膜
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lalahulala

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】一.单晶硅表面如何获得较厚的SiO2层二.关于旋转涂膜

我用浓硫酸、双氧水加热处理单晶硅片几个小时后跟原片电阻率没什么区别呀。什么方法能够得到较厚的SiO2层
另外，热氧化法我还没试，做过的xdjm指点一下，多谢了
还有就是我想在玻璃或是硅片上旋转涂膜，不知道用什么溶剂润湿性好，涂出来的膜均匀
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1楼 2009-08-24 20:03:35
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wqnow

木虫 (正式写手)
★
lalahulala(金币+1,VIP+0):多谢，我想在硅片上弄一层较厚的SiO2，使其变为绝缘体，旋涂有机前躯体溶液，热解得到导电的氧化物半导体膜 8-25 08:54
PECVD可以得到几百纳米到微米级的SiO2膜
热氧化法速度特别慢，另外需要能烧到1100～1300℃的炉子，并且能通氧气（最好和水蒸气一起通速度才比较快）
说说你要涂什么膜吧

[ Last edited by wqnow on 2009-8-24 at 23:33 ]
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2楼2009-08-24 23:31:48
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snow0122wh

木虫 (小有名气)
1.有听说用氢氟酸和双氧水腐蚀的。
2.是用溶胶凝胶法涂膜吗？可以用乙醇溶剂。
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人生若只如初见
3楼2009-08-25 09:41:12
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wqnow

木虫 (正式写手)
PECVD可以，如果在北京的话清华可以做。
没做过半导体膜，文献上应该有吧。
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4楼2009-08-28 21:10:09
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zeusshang

金虫 (小有名气)
★
lalahulala(金币+1,VIP+0):多谢，我已在干氧气氛下氧化了，1000度，150nm厚的SiO2层。我的前躯体极性较大，你说的溶剂可能溶不了。另外，你们的光刻胶浓度大概有多大，是不是配出来的溶液很浓，比较粘，这样利于旋涂。 8-31 08:51
氧化硅的片子直接买点吧，2，3百买一片四寸的，做化学实验的话可以用很久了。
没有高温想要得到绝缘性能高的氧化物膜不太现实，绝缘性能好不好关键是看用什么方法来制备，膜的厚度并不是主要的因素。
旋涂的话大部分有机溶剂的效果都还不错，二甲苯，氯苯，氯仿等我们都用来配过光刻胶，涂出来效果都挺好的。
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微纳加工
5楼2009-08-30 22:09:51
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zeusshang

金虫 (小有名气)
浓度不是很大，用来配PMMA什么的，5%左右吧，涂出来几百纳米。
对于极性还真没有考虑过。
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微纳加工
6楼2009-09-01 20:41:14
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